標(biāo)題：碳化硅晶體實(shí)驗(yàn)-顯微鏡觀察晶體生長(zhǎng)面上顯微形貌
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2016-1-20 17:30:07
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正文:
碳化硅晶體實(shí)驗(yàn)-顯微鏡觀察晶體生長(zhǎng)面上顯微形貌
蜷線原點(diǎn)的觀察給我們提供了極大的興趣，在蜷線的極點(diǎn)往往發(fā)
現(xiàn)有某種包裹物，固體的外來(lái)顆粒一般具有不規(guī)則的形狀；含有氣
體包裹物的孔穴通常具有平行于晶面平面的圓形或六角形的截面，
在這種情況下證實(shí)了外來(lái)雜質(zhì)起著蜷線生長(zhǎng)的活動(dòng)中心的作用的這
種假設(shè)，然而在很多情況下，在蜷線中心沒(méi)有發(fā)現(xiàn)任何包裹物，這
時(shí)蜷線可能是由于晶體原始骨架的生長(zhǎng)而形成蜷線，我們現(xiàn)在不來(lái)
討論有利于產(chǎn)生蜷線的第二種機(jī)理的已有事實(shí)。
在一定的技術(shù)條件下得到的碳化硅晶體是透明的，同時(shí)有些試樣
充滿了粗大的氣體包裹物，這些氣體包裹物有時(shí)可能提供我們認(rèn)晶
體表面生長(zhǎng)的歷史，在氣孔包裹物的底表面上我們成功地看到蜷線
的最初幾圈和生長(zhǎng)層組，觀察得到的結(jié)論是，在晶面生長(zhǎng)過(guò)程中，
其蜷線顯微形貌 可以發(fā)生重大的改變，在晶面生長(zhǎng)的鄰近區(qū)內(nèi)產(chǎn)
生的新中心與原始的支配中心競(jìng)爭(zhēng)；晶體中的缺陷常常沿著傾斜方
向的點(diǎn)陣轉(zhuǎn)換，由新生長(zhǎng)中心處的急劇生長(zhǎng)可以完全改變生長(zhǎng)層階
前的方向，因此，生長(zhǎng)的晶面是不斷地改變顯微形貌的表面，顯微
形貌的個(gè)別要素僅僅是在某一段時(shí)間內(nèi)的在晶面的小區(qū)域范圍內(nèi)同
周相在生長(zhǎng)的。
同時(shí)，如上述碳化硅晶體的顯微鏡研究指出了晶體生長(zhǎng)面上顯微
形貌 的多變性，晶面被晶界所分離的表面局部區(qū)域具有蜷線結(jié)構(gòu)
，通常蜷線包圍了晶面表面相當(dāng)大面積，而沿著厚度方向，它們概
括的面積則較小，這些區(qū)域內(nèi)的蜷線梯階的高度往往是簡(jiǎn)單整數(shù)。
因此可以認(rèn)為，與晶體結(jié)構(gòu)空間的我灸性相似，存在著有歷史意
義的晶面蜷線顯微形貌的可變性，同時(shí)，有蜷線結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域則
相當(dāng)于以一定層次排列的規(guī)律為特征的區(qū)域，同時(shí)應(yīng)該指出，在個(gè)
別情況下，螺旋梯階狀小的高度可達(dá)4微米，嚴(yán)格遵守一定的堆積
規(guī)律，由這種螺旋梯階狀小所形成的蜷面層的高度，顯然應(yīng)該與晶
體區(qū)域內(nèi)的點(diǎn)陣重復(fù)周期一致。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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