標(biāo)題：立體覆晶封裝制程立體顯微鏡-微結(jié)構(gòu)觀察
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2013-7-21 0:36:11
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正文:
封裝技術(shù)已由覆晶封裝轉(zhuǎn)變?yōu)槿S立體封裝。
相對于覆晶封裝，三維立體封裝中所使用的焊錫高度已經(jīng)縮減了一個數(shù)量級。
討論覆晶封裝與三維立體封裝中無鉛焊錫的熱遷移效應(yīng)。在覆晶封裝中，
焊錫高度為100 μm，我們可以發(fā)現(xiàn)Sn 原子擴(kuò)散至熱端，導(dǎo)致熱端有焊錫的質(zhì)量突出而冷端
會有質(zhì)量消耗甚至有孔洞生成，然而當(dāng)焊錫高度縮減至5 μm 時，
工具顯微鏡下便無觀察到焊錫在熱端有明顯的微結(jié)構(gòu)變化。造成在覆晶封裝與三維立體封裝中會有如此差異之情形，
假設(shè)這有可能是因為焊錫高度縮減使得Sn 原子在三維立體封裝中會比在覆晶封裝中擁
有更大的背向應(yīng)力，導(dǎo)致Sn 原子所受的熱遷移驅(qū)動力會被背向應(yīng)力所抵消掉，
以至于在三維立體封裝微型焊錫接點中Sn 原子不會有熱遷移發(fā)生。而于本篇論文也會討論其
臨界溫度梯度與焊錫高度之關(guān)系并且利用critical product 計算得到當(dāng)工作溫度為150 oC
時焊錫高度與驅(qū)動熱遷移的臨界溫度梯度曲線圖，當(dāng)焊錫高度縮減時，
驅(qū)動Sn 原子產(chǎn)生熱遷移所需的臨界溫度梯度會隨之增大；反之當(dāng)焊錫高度較高時，Sn 原子產(chǎn)生熱遷
移時所需的臨界溫度梯度也將會減少
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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